Intel 1.2TB史上最强SSD实测：狂殴三星！

Intel今天发布了新的SSD 750系列固态硬盘，将企业级平台引入到桌面，首次给消费级固态硬盘带来了NVMe标准协议支持，还有18通道主控、1.2TB闪存、SFF-8639新接口，号称能跑出2.4GB/s的超高速度。

AnandTech迅速完成了对这块神器固态硬盘的评测，重点对比了三星最新的SM951 512GB，也支持PCI-E 3.0 x4通道但接口协议还是AHCI(一度说要支持NVMe)，另外还加入了上代XP941 512GB，通道走的是PCI-E 2.0 x4 AHCI。

【持续读写性能：Intel没飙出来】

 

 

 

 

 

 

 

 

持续读取速度上，Intel虽然飙出了1.28GB/s，但还是不及三星的1.47GB/s。

看不同队列深度的表现就明白了。Intel在高深度下很牛，QD16/32冲到了2.75GB/s，但是低深度太差了，只有1GB/s多点，而三星基本稳定在1.5GB/s左右。

 

 

 

 

 

 

 

 

持续写入速度上，Intel翻了身，1.29GB/s领先三星足足40％。

但其实也没那么乐观。Intel其实在各队列深度下根本没有什么不同，特别是QD1下二者几乎没啥区别，而三星不但容量小了一半，怀疑散热也有不足，否则不至于队列深度 提高后会差么多。

【随机读写性能：痛扁三星】

 

 

 

 

 

 

 

 

虽然有NVMe，但是随机读取并没有太好的表现，再次不如三星。

NVMe理论上可以改善低深度的性能，性价比高的智能手机，因为它的系统开销更少，但这里NAND闪存成了瓶颈，或许未来换成3D闪存会好一些。

很有趣，Intel、三星在QD16及之前几乎没啥不同，QD32 Intel才爆发，突破了200000 IOPS，而且NVMe还可以支持更高的队列深度，只不过消费级负载根本用不到罢了。

 

 

 

 

 

 

 

 

随机写入完爆三星，超越足足60％，低延迟的NVMe应该功不可没。

可以看出Intel的队列深度扩展效率很高，一直到QD8才停下来，三星则只到QD2，而且看看QD1/2时的差距有多大，这说明在随机写入频繁的应用中，SSD 750绝对会是个怪物。

【混合读写性能：还是随机吊】

 

 

 

 

 

 

 

 

混合持续读写，二者彼此彼此，但都很高。

纯读取或者纯写入时候速度都很高，但混合之后就下来了，即便如此最低也都在  400MB/s，而绝大多数SATA 6Gbps硬盘都只有大约200MB/s。

 

 

 

 

 

 

 

 

混合随机读写，Intel又爆发了，领先足足60％。 

主要还是得益于优异的随机写入能力，写入比例越高Intel越厉害，三星则越来越差。

【AnandTech综合测试套装】

极限负载：

 

 

 

 

 

 

 

 

高负载：

 

 

 

 

 

 

低负载：

 

 

 

 

 

 

极限负载下异常突出，完爆三星，但是高低负载就没什么优势了，平均数据率还低了不少。

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